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LED外延片工艺流程

LED 外延片工艺流程如下:

衬底 - 结构设计- 缓冲层生长- N型GaN 层生长- 多量i子阱发光层生- P 型GaN 层生长- 退火- 检测(光荧光、X 射线) - 外延片;

外延片- 设计、加工掩模版- 光刻- 离子刻蚀- N 型电极(镀膜、退火、刻蚀) - P 型电极(镀膜、退火、刻蚀) - 划片- 芯片分检、分级

具体介绍如下:

固定:将单晶硅棒固定在加工台上。

切片:将单晶硅棒切成具有精i确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋,产生废水和硅渣。

退火:双工位热氧化炉经氮气吹扫后,用红外加热至300~500℃,LED模组价格,硅片表面和氧气发生反应,使硅片表面形成二氧化硅保护层。

倒角:将退火的硅片进行修整成圆弧形,防止硅片边缘破i裂及晶格缺陷产生,增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋,产生废水和硅渣。

分档检测:为保证硅片的规格和质量,对其进行检测。此处会产生废品。

研磨:用磨片i剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层,有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度,达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片i剂。

清洗:通过有机i溶剂的溶解作用,LED模组经销商,结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。此工序产生有机废气和废有机i溶剂。

RCA清洗:通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。

LED芯片的分类——GB芯片LED芯片的分类有哪些呢?

GB芯片定义和特点

定义:Glue Bonding(粘着结合)芯片;该芯片属于UEC的专i利产品。

特点:

(1)透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底,其出光功率是传统AS(Absorbable structure)芯片的2倍以上,蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底。

(2)芯片四面发光,具有出色的Pattern图。

(3)亮度方面,其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)。

(4)双电极结构,其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片。

LED模组就是把LED(发光二极管)按一定规则排列在一起再封装起来,加上一些防水处理组成的产品。就是LED模组。

按密封性又可以分为防水和不防水两种。防水和不防水的模组主要是看应用环境来区分的,苏州LED模组,一般防水的LED模组可以运用于户外照明和宣传使用,它不会因为进水而发生问题,更适合恶劣的环境应用,而不防水模组则主要是室内用的比较多。

按照LED的形状LED模组分为:直插式LED模组,食人鱼LED模组,贴片LED模组。

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