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北京启尔特石油科技有限公司
主营：175度晶振,150度单片机,150度存储器,175度电容
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250度达林顿晶体管
北京启尔特科技新到一批150度、175度、200度、225度、250度、275度高温晶体管，200度高温IGBT电路，具有体积小，电压范围大，结实可靠，可耐高温，常用型号有2N2222A等，适用于石油测井勘探及其他科研领域。
静电感应晶体管
静电感应晶体管SIT(Static Induction Transistor)诞生于1970年，实际上是一种结型场效应晶体管。将用于信息处理的小功率SIT器件的横向导电结构改为垂直导电结构，即可制成大功率的SIT器件。SIT是一种多子导电的器件，其工作频率与电力MOSFET相当，甚至超过电力MOSFET，而功率容量也比电力MOSFET大，因而适用于高频大功率场合，目前已在雷达通信设备、超声波功率放大、脉冲功率放大和高频感应加热等某些领域获得了较多的应用。
但是SIT在栅极不加任何信号时是导通的，栅极加负偏压时关断，这被称为正常导通型器件，使用不太方便。此外，SIT通态电阻较大，使得通态损耗也大，因而SIT还未在大多数电力电子设备中得到广泛应用。
200度MOS管
北京启尔特科技新到一批150度、175度、200度、225度、250度、275度高温晶体管，具有体积小，电压范围大，结实可靠，可耐高温，常用型号有2N2222A等，适用于石油测井勘探及其他科研领域。
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET-JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电，150度进口IGBT电路，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10~10Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
150度NPN晶体管
北京启尔特科技新到一批150度、175度、200度、225度、250度、275度高温晶体管，IGBT，具有体积小，电压范围大，结实可靠，可耐高温，常用型号有2N2222A等，适用于石油测井勘探及其他科研领域。
倍压整流器的倍压整流(二倍)方式是利用两组简单的半波整流，以指向相反的二极管分别生成两个正负不同的电源输出，150度高温IGBT电路，并分别加以滤波。连接正负两端可得到交流输入电压两倍的输出电压。此种电路称为德隆电路。 如需要的话，此电路也可以提供中间电压，或当作正负双电压的电源来使用。
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第11年
