led外延片批发-杰生半导体(在线咨询)-淮安led外延片

   国家对ＬＥＤ产业的发展也给予了大力支持。２００６年，led外延片批发，根据我国半导体照明产业的发展现状，有关部门制定半导体照明产业发展计划和２００６年技术发展路线图提出，对于ＬＥＤ芯片的投资将占ＬＥＤ产业投资的２０％，研究重点将放在ＧａＮ芯片的生产以及功率芯片的研发上。

   虽然拥有极大的市场需求并得到有关部门的大力支持，但不可否认的是，现阶段ＬＥＤ芯片产业仍然存在技术缺乏、人才短缺、产品质量不高、设备自主生产能力弱等发展困境。如何解决上述问题是我国ＬＥＤ产业能否持续健康快速发展的关键。

   王莹认为，ＬＥＤ芯片产业的快速发展将助推ＬＥＤ产业整体升级。在ＬＥＤ芯片产业的发展过程中，早期产品主要以普通亮度芯片为主，生产厂商也只有南昌欣磊等少数几家。２００３年以后，以厦门三安、大连路美为代表的芯片生产企业针对芯片市场的需求，纷纷把产品重点集中到高亮度芯片上，直接带动了高亮度芯片产量的快速增长。一时间，国内掀起了ＬＥＤ芯片产业发展的热潮，高亮度芯片成为ＬＥＤ芯片产业发展的主要推动力。２００６年，我国ＬＥＤ芯片产量达到３０９．３亿个，产值达到１１．９亿元。

   随着ＬＥＤ芯片生产企业的不断增多，ＬＥＤ芯片产值的增长速度一直高于封装环节，导致芯片产值在我国ＬＥＤ产业产值中所占比重不断提升，由２００２年的５．４％上升至２００６年的１１．３％。由此可见，我国ＬＥＤ产业正在由低端走向，向附加值更高、更具价值的芯片环节迈进。

   据王莹预测，２００８年高亮度芯片产量将超过普通亮度芯片，ＬＥＤ芯片产业进入高亮度时代。在很长一段时间内，企业将会把投资重点放在高亮度芯片的生产上。　

外延片处于LED产业链中的上游环节，包括原材料、衬底材料及设备这三大领域。在LED外延片生长、芯片、芯片封装这三个环节中，外延片生长投资要占到70%，外延片成本要占到封装成品的70%。

外延片生长主要依靠生长工艺和设备。制造外延片的主流方法是采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD），但即使是这种“蕞经济”的方法，淮安led外延片，其设备制造难度也非常大。国际上只有德国、美国、英国、日本等少数国家中数量非常有限的企业可以进行商业化生产。

外延片材料主要是硅，硅外延片也是当前外延片的主体。世界多晶硅、硅单晶及硅片等外延片制造材料几乎全部为信越（本部在日本，马来西亚、美国、英国）、MEMC（本部在美国，意大利、日本、韩国、马来西亚、台湾）、Wacker（本部在德国，美国、新加坡）、三菱（本部在日本，美国、印度尼西亚）等公司所控制，这四家公司的市场占有率近70%。这些公司除了本部之外，都在其它国家和地区设厂，是跨国生产与经营的公司。

国内外延片市场的基本格局是外资企业产品技术占据主导，本土厂商逐步崛起。近年来，led外延片厂家，下游应用市场的繁荣带动了我国LED产业迅猛发展，外延片市场也迎来发展良机。国内LED外延片产能快速提升，技术水平不断进步，产品已开始进入中高挡次。

为进一步完善LED产业链，“十二五”期间各级继续加强对上游外延片领域基础研究的投入，中下游企业也在积极向上游拓展。外延片作为LED器件中的前端高技术产品，我国在这一领域的企业竞争目前仍处于“蓝海”阶段，国内LED外延片市场发展前景乐观。

1、什么是外延和外延片？

外延也称为外延生长，是制备高纯微电子复合材料的一工艺过程，就是在单晶（或化合物）衬底材料上淀积一层薄的单晶（或化合物）层。新淀积的这层称为外延层。淀积有外延层的衬底材料叫外延片。

2、哪些材料可以用作生长外延层的衬底材料，它们各自有哪些优缺点？

用得蕞广泛的衬底材料是申化家，可用于生长外延层GaAs、GaP、GaAlAs、InGaAlP，其优点是由于GaAs的晶格常数比较匹配可制成无位错单晶，加工方便，led外延片报价，价格较便宜。缺点是它是一种吸光材料，对PN结发的光吸收比较多，影响发光效率。

磷化家可生长GaP：ZnO、GaP：N、GaAs、GaAlAs：N以及InGaAlP的顶层，其优点是它是透明材料，可制成透明衬底提高出光效率。

生长InGaN和InGaAlN的衬底主要有蓝宝石（Al2O3）、碳化硅和硅。蓝宝石衬底的优点是透明，有利于提高发光效率，目前仍是InGaN外延生长的主要衬底。缺点是有较大的晶格失配；硬度高，造成加工成本高昂；热导率较低，不利于器件的热耗散，对制造功率led不利。碳化硅衬底有较小的晶格失配，硬度低，易于加工，导热率较高，利于制作功率器件。