国家对LED产业的发展也给予了大力支持。2006年,led外延片批发,根据我国半导体照明产业的发展现状,有关部门制定半导体照明产业发展计划和2006年技术发展路线图提出,对于LED芯片的投资将占LED产业投资的20%,研究重点将放在GaN芯片的生产以及功率芯片的研发上。
虽然拥有极大的市场需求并得到有关部门的大力支持,但不可否认的是,现阶段LED芯片产业仍然存在技术缺乏、人才短缺、产品质量不高、设备自主生产能力弱等发展困境。如何解决上述问题是我国LED产业能否持续健康快速发展的关键。
王莹认为,LED芯片产业的快速发展将助推LED产业整体升级。在LED芯片产业的发展过程中,早期产品主要以普通亮度芯片为主,生产厂商也只有南昌欣磊等少数几家。2003年以后,以厦门三安、大连路美为代表的芯片生产企业针对芯片市场的需求,纷纷把产品重点集中到高亮度芯片上,直接带动了高亮度芯片产量的快速增长。一时间,国内掀起了LED芯片产业发展的热潮,高亮度芯片成为LED芯片产业发展的主要推动力。2006年,我国LED芯片产量达到309.3亿个,产值达到11.9亿元。
随着LED芯片生产企业的不断增多,LED芯片产值的增长速度一直高于封装环节,导致芯片产值在我国LED产业产值中所占比重不断提升,由2002年的5.4%上升至2006年的11.3%。由此可见,我国LED产业正在由低端走向,向附加值更高、更具价值的芯片环节迈进。
据王莹预测,2008年高亮度芯片产量将超过普通亮度芯片,LED芯片产业进入高亮度时代。在很长一段时间内,企业将会把投资重点放在高亮度芯片的生产上。
LED外延片产业发展浅析外延片处于LED产业链中的上游环节,包括原材料、衬底材料及设备这三大领域。在LED外延片生长、芯片、芯片封装这三个环节中,外延片生长投资要占到70%,外延片成本要占到封装成品的70%。
外延片生长主要依靠生长工艺和设备。制造外延片的主流方法是采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD),但即使是这种“蕞经济”的方法,淮安led外延片,其设备制造难度也非常大。国际上只有德国、美国、英国、日本等少数国家中数量非常有限的企业可以进行商业化生产。
外延片材料主要是硅,硅外延片也是当前外延片的主体。世界多晶硅、硅单晶及硅片等外延片制造材料几乎全部为信越(本部在日本,马来西亚、美国、英国)、MEMC(本部在美国,意大利、日本、韩国、马来西亚、台湾)、Wacker(本部在德国,美国、新加坡)、三菱(本部在日本,美国、印度尼西亚)等公司所控制,这四家公司的市场占有率近70%。这些公司除了本部之外,都在其它国家和地区设厂,是跨国生产与经营的公司。
国内外延片市场的基本格局是外资企业产品技术占据主导,本土厂商逐步崛起。近年来,led外延片厂家,下游应用市场的繁荣带动了我国LED产业迅猛发展,外延片市场也迎来发展良机。国内LED外延片产能快速提升,技术水平不断进步,产品已开始进入中高挡次。
为进一步完善LED产业链,“十二五”期间各级继续加强对上游外延片领域基础研究的投入,中下游企业也在积极向上游拓展。外延片作为LED器件中的前端高技术产品,我国在这一领域的企业竞争目前仍处于“蓝海”阶段,国内LED外延片市场发展前景乐观。
1、什么是外延和外延片?
外延也称为外延生长,是制备高纯微电子复合材料的一工艺过程,就是在单晶(或化合物)衬底材料上淀积一层薄的单晶(或化合物)层。新淀积的这层称为外延层。淀积有外延层的衬底材料叫外延片。
2、哪些材料可以用作生长外延层的衬底材料,它们各自有哪些优缺点?
用得蕞广泛的衬底材料是申化家,可用于生长外延层GaAs、GaP、GaAlAs、InGaAlP,其优点是由于GaAs的晶格常数比较匹配可制成无位错单晶,加工方便,led外延片报价,价格较便宜。缺点是它是一种吸光材料,对PN结发的光吸收比较多,影响发光效率。
磷化家可生长GaP:ZnO、GaP:N、GaAs、GaAlAs:N以及InGaAlP的顶层,其优点是它是透明材料,可制成透明衬底提高出光效率。
生长InGaN和InGaAlN的衬底主要有蓝宝石(Al2O3)、碳化硅和硅。蓝宝石衬底的优点是透明,有利于提高发光效率,目前仍是InGaN外延生长的主要衬底。缺点是有较大的晶格失配;硬度高,造成加工成本高昂;热导率较低,不利于器件的热耗散,对制造功率led不利。碳化硅衬底有较小的晶格失配,硬度低,易于加工,导热率较高,利于制作功率器件。
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