溅射靶材ITO靶材的生产工艺 ITO靶材的生产工艺可以分为3种:热等静压法(HIP)、溅射靶材热压法(HP)和气氛烧结法。各种生产工艺及其特点简介如下:
热等静压法:ITO靶材的热等静压制作过程是将粉末或预先成形的胚体,在800℃~1400℃及1000kgf/cm 2~2000kgf/cm 2的压力下等方加压烧结。热等静压工艺制造产品密度高、物理机械性能好,但设备投入高,生产成本高,产品的缺氧率高。
现在行业中通用的测量方法基本是手动进行的,其劣势在于手动测试受人为因素 (用力的大小,接触面积等)影响较大,手动测试无法实现同一被测物目标的多次数值的重现,手动测试时只能达到每次测试出来一个数值,尾气收受系统,无法做产品的分析。另外一般的电阻测量仪器受温度和湿度的影响较大,尾气收受系统报价,无法测量,导致不能得出的数值,从而不能保证广品的品质。
任何金属都不能达到纯。“超纯”具有相对的含义,是指技术上达到的标准。
由于技术的发展,也常使 “超纯”的标准升级。“超纯”的相对名词是指“杂质”,广义的杂质是指化学杂质(元素)及“物理杂质”(晶体缺陷),后者是指位错及空位等,尾气收受系统哪家好,而化学杂质是指基体以外的原子以代位或填隙等形式掺入。
但只当金属纯度达到很高的标准时(如纯度9以上的金属),物理杂质的概念才是有意义的,因此目前工业生产的金属仍是以化学杂质的含量作为标准,即以金属中杂质总含量为百万分之几表示。
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