MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
做电源设计,或者做驱动方面的电路,难免要用到MOS管。MOS管有很多种类,也有很多作用。做电源或者驱动的使用,中低压mos万芯半导体,当然就是用它的开关作用。
无论N型或者P型MOS管,温州中低压mos,其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性,不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应,因此在开关应用中,MOS管的开关速度应该比三极管快。
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参考电压可以来自于采样电阻,也就是在NMOS的S极接一个大功率小电阻后接地,这个电阻做电流采样,当电流流过电阻后会形成电压,把它放大处理后做参考。
刚开始的时候,电流很小,所以控制电压比参考电压高很多,中低压mos生产厂家,可以使管子迅速导通,在很短时间后,当电流增大逐步达到某个值时,参考电压迅速上升,与控制电压接近并超过时,中低压mos厂家,比较器就输出低电平(接近0V)使管子截止,电流减小。然后电流减少后,参考电压又下去,管子又导通,电流又增大。然后周而复始。
场效应管与三极管的区别:
1.场效应管和三极管的区别是电压和电流控制,在性能方面,场效应管要明显优于普通三极管,不管是频率还是散热要求,只要电路设计合理,采用场效应管会明显提升整体性能;
2.场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大,但由于他们构造和工作原理截然不同,所以二者的差异很大。在某些特殊应用方面,场效应管优于三极管,是三极管无法替代的;
3.场效应管是单极型管子,即管子工作时要么只有空穴,要么只有自由电子参与导电,只有一种载流子;三极管是双极型管子,即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与;
4.场效应管属于电压控制器件,没有输入电流也会有输出电流;三极管属于电流控制器件,有输入电流才会有输出电流;
5.场效应管输入阻抗大;三极管输入阻抗小;
6.场效应管的频率特性不如三极管;
7.场效应管的噪声系数小,适用于低噪声放大器的前置级;
8.信号源电流小应该选用场效应管,反之则选用三极管更为合适。
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