超纯氧气的纯度标准是多少?
超纯氧气的纯度标准一般是氧气含量不低于99.995%。
在实际应用中,对于一些特殊行业,超纯氧气哪家便宜,如电子半导体制造,对超纯氧气的纯度要求可能更高,甚至达到99.999%以上。这是因为这些高精度的工业生产过程不能容忍过多杂质,哪怕是微量杂质也可能影响产品质量,比如在芯片制造过程中,高纯度的氧气用于氧化反应,杂质可能导致芯片出现缺陷。
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高纯氧气氧气是人类生存的必需品,那么超纯氧气跟氧气有什么区别呢。接下来我们的小编为大家说一下普通氧气和高纯氧气的区别!
氧气,俗称干燥氧;指采用深冷分离法将大气中氧气分离以供应救治人使用的氧气。氧含量不小于99.5%,无色、无味、有害杂质少,是一种特殊的流通商品。检测项目包括氧含量、水分含量、二氧化碳含量、、气态酸性物质和碱性物质含量、臭氧及其他气态氧化物、气味等项,同时在生产过程中必须对二氧化碳有害气体和杂质进行过滤。
而超纯氧气的纯度≥99.995%并未进行过有害杂质清除。不可与氧气混用!
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大家知道制作超纯氧气的方法有什么呢?相信很多人都不知道吧,那么接下来就让小编为大家做一个详细的介绍吧。我们一起来看一下吧。
首先按照摩尔比1:1比例取出浓度大于99.9%,粒度小于500微米的硅粉和碳粉,然后进行两次合成。在初次合成步骤中,将所取硅粉和碳粉混合均匀放入坩埚中,再将坩埚置于中频感应加热炉,并对加热炉的生长室抽真空,除去其中的氧气和氮气,同时将温度升高至1000摄氏度。然后向生长室中充入高纯度的氦气和氢气的混合气体,加热至1500摄氏度,保持反应时间15分钟,超纯氧气价格,而后降至室温,超纯氧气多少钱一瓶,后将反应后的产物中大于1厘米的团聚物碾成小于1毫米的粉末。
在二次合成步骤中,将上述产物粉末混合均匀重新放入坩埚,并将坩埚再次置于中频感应加热炉,抽真空环境,超纯氧气,升高温度到1000摄氏度,通入氦气和氢气的混合气体。然后升高温度到1600摄氏度到2000摄氏度,保持反应合成时间2小时到10小时,再降至室温。通过这两步即可以得到粒度小于20微米的适用于半导体碳化硅硅单晶生长的高纯碳化硅粉,采用粉末衍射法(XRD)对初次合成和二次合成产物进行物相分析,得到的XRD如图1所示,通过分析可以发现初次合成粉末有硅和碳的单质剩余,而二次合成则可以使得反应更加完全,得到纯度更高的碳化硅。
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