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马鞍山杰生半导体有限公司
主营：广东深紫外LED灯珠,紫外线杀菌灯珠,UV 灯珠
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LED 外延片工艺流程如下：
衬底 - 结构设计- 缓冲层生长- N型GaN 层生长- 多量i子阱发光层生- P 型GaN 层生长- 退火- 检测（光荧光、X 射线） - 外延片；
外延片- 设计、加工掩模版- 光刻- 离子刻蚀- N 型电极（镀膜、退火、刻蚀） - P 型电极（镀膜、退火、刻蚀） - 划片- 芯片分检、分级
具体介绍如下：
固定：将单晶硅棒固定在加工台上。
切片：将单晶硅棒切成具有精i确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。
退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至300~500℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。
倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破i裂及晶格缺陷产生，LED外延片价格，增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。
分档检测：为保证硅片的规格和质量，对其进行检测。此处会产生废品。
研磨：用磨片i剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片i剂。
清洗：通过有机i溶剂的溶解作用，LED外延片供应厂家，结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。此工序产生有机废气和废有机i溶剂。
RCA清洗：通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。
外延片处于LED产业链中的上游环节，包括原材料、衬底材料及设备这三大领域。在LED外延片生长、芯片、芯片封装这三个环节中，外延片生长投资要占到70%，外延片成本要占到封装成品的70%。
外延片生长主要依靠生长工艺和设备。制造外延片的主流方法是采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD），但即使是这种“蕞经济”的方法，其设备制造难度也非常大。国际上只有德国、美国、英国、日本等少数国家中数量非常有限的企业可以进行商业化生产。
外延片材料主要是硅，硅外延片也是当前外延片的主体。世界多晶硅、硅单晶及硅片等外延片制造材料几乎全部为信越（本部在日本，马来西亚、美国、英国）、MEMC（本部在美国，意大利、日本、韩国、马来西亚、台湾）、Wacker（本部在德国，美国、新加坡）、三菱（本部在日本，美国、印度尼西亚）等公司所控制，这四家公司的市场占有率近70%。这些公司除了本部之外，LED外延片批发价格，都在其它国家和地区设厂，是跨国生产与经营的公司。
国内外延片市场的基本格局是外资企业产品技术占据主导，青岛LED外延片，本土厂商逐步崛起。近年来，下游应用市场的繁荣带动了我国LED产业迅猛发展，外延片市场也迎来发展良机。国内LED外延片产能快速提升，技术水平不断进步，产品已开始进入中高挡次。
为进一步完善LED产业链，“十二五”期间各级继续加强对上游外延片领域基础研究的投入，中下游企业也在积极向上游拓展。外延片作为LED器件中的前端高技术产品，我国在这一领域的企业竞争目前仍处于“蓝海”阶段，国内LED外延片市场发展前景乐观。
所谓透明电极一是要能够导电，二是要能够透光。
这种材料现在较为广泛应用在液晶生产工艺中，其名称叫氧化铟锡，英文缩写ITO，但它不能作为焊垫使用。
制作时先要在芯片表面做好欧姆电极，然后在表面覆盖一层ITO再在ITO表面镀一层焊垫。
这样从引线上下来的电流通过ITO层均匀分布到各个欧姆接触电极上，同时ITO由于折射率处于空气与外延材料折射率之间，可提高出光角度，光通量也可增加。
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第5年
