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场效应管的主要参数有很多种,其中包含直流电流、交流电流的参数和极限参数,但一般应用时只需关心下列基本参数:饱和状态的漏源电流量IDSS夹断电压Up,跨导gm、漏源击穿电压BUDS、较大损耗输出功率PDSM和较大漏源电流量IDSM。
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我国是全世界极大的MOS器件市场,2020年,我国MOS器件市场规模约为187亿元,在全世界总市场中的占比达到45%。我国是全世界极大的智能手机、汽车生产国,5G技术处于全世界的头部位置,且新型电子产品不断问世,因此MOS器件市场前景好,且高的性能的产品需求不断上升。这些因素有利于我国围栅硅纳米线MOS器件行业发展。
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MOS,是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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