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合肥启尔特石油科技有限公司
主营：175度晶振,150度单片机,150度存储器,175度电容
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EEPROM和闪存的写入时间显着增加了MCU的能耗，因为它们使MCU的活动时间更长。如果在写入EEPROM和闪存完成时MCU处于睡眠模式，进口150度存储器参数，则可以降低能耗。但是，EEPROM或闪存消耗的能量代表了系统的大部分能耗，因此使MCU处于睡眠模式不会对总体能耗产生重大影响。很明显，通过功率门控的快速写入，非易失性存储器可以实现低的能耗。
175度测井存储器合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ，适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多，进口200度存储器型号，150度常用的是25LC256系列，175度FLASH存储器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存储器，容量较小，如有需要的客户，欢迎来电。
Flash 储存器的标准物理结构，称之为基本位（cell）；一般MOS闸极（Gate）和通道的间隔为氧化层之绝缘（gate oxide），而Flash 储存器的特色是在控制闸（Control gate）与通道间多了一层称为“浮闸”（floating gate）的物质。拜这层浮闸之赐，使得Flash 储存器可快速完成读、写、抹除等三种基本操作模式；就算在不提供电源给内存的环境下，也能透过此浮闸，来保存数据的完整性。
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一般地EEPROM存储器（如93C46/56/66系列）的擦写次数为10万次，超过这一极限的时候，该单元就无法再使用了。但在实际应用中，可能有些数据要反复改写。这时，可通过变址寻址的方式来突破EEPROM存储器的擦写寿命极限。
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