Flash,存储器,又叫Flash Memory,即平时所说的“闪存”。
Flash结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的功能,还可以快速读取数据,具有NVRAM的优势(NVRAM:Non-Volatile Random Access Memory,非易失性随机访问存储器)。
在过去,嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备,Flash的出现,代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位,用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘、固态硬盘)。
175度高温存储器合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。
随机存取存储器(Random Access Memory,简称RAM):可在任何时刻随机地对任意一个单元直接存取信息。根据所采用的存储器单元工作原理的不同,又将随机存储器分为SRAM和动态存储器DRAM。DRAM存储单元结构非常简单,进口200度存储器型号,他所能达到的集成度远高于SRAM。构成存储器的存储介质,存储元,它可存储一个二进制代码。由若干个存储元组成一个存储单元,然后再由许多存储单元组成一个存储器。一个存储器包含许多存储单元,每个存储单元可存放一个字节(按字节编址)。每个存储单元的位置都有一个编号,即地址,一般用十六进制表示。一个存储器中所有存储单元可存放数据的总和称为它的存储容量。假设一个存储器的地址码由20位二进制数(即5位十六进制数)组成,则可表示2的20次方,进口210度存储器型号,即1M个存储单元地址。每个存储单元存放一个字节,则该存储器的存储容量为1MB。
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EEPROM用电气方法将芯片中存储内容擦除,擦除速度较快,甚至在联机状态下也可以操作。相对来说,EPROM用紫外线擦除内容的操作就更复杂,速度也很慢。EEPROM既可使用字擦除方式又可使用块擦除方式,使用字擦除方式可擦除一个存储单元,使用块擦除方式可擦除数据块中所有存储单元。
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