电擦可编程只读存储器(EEPROM或E2PROM)
EEPROM用电气方法将芯片中存储内容擦除,擦除速度较快,甚至在联机状态下也可以操作。相对来说,EPROM用紫外线擦除内容的操作就更复杂,速度也很慢。EEPROM既可使用字擦除方式又可使用块擦除方式,进口200度存储器参数,使用字擦除方式可擦除一个存储单元,使用块擦除方式可擦除数据块中所有存储单元。
贴片150度存储器合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLash存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。eRAM、MRAM和OUM这三种存储器与传统的半导体存储器相比有许多突出的优点,进口200度存储器型号,其应用前景十分诱人。近年来,人们对它们的研究己取得了可喜的进展,尤其是FeRAM己实现了初步的商业应用。但它们要在实际应用上取得进一步重大突破,还有大量的研究工作要做。同时存储技术的发展是没有止境的,但是追求更高密度、更大带宽、更低功耗、更短延迟时间、更低成本和更高可靠性的目标永远不会改变。
合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLash存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。单片机的数据存储器由读写存储器 RAM 组成。其大容量可扩展到 64k,用于存储实时输入的数据。8051 内部有 256 个单元的内部数据存储器,其中 00H~7FH 为内部随机存储器 RAM,80H~FFH 为寄存器区。实际使用时应首先充分利用内部存储器,从使用角度讲,搞清内部数据存储器的结构和地址分配是十分重要的。因为将来在学习指令系统和程序设计时会经常用到它们。8051 内部数据存储器地址由 00H 至 FFH 共有 256 个字节的地址空间,该空间被分为两部分,存储器,其中内部数据 RAM 的地址为 00H~7FH(即 0~127)。而用做特殊功能寄存器的地址为 80H~FFH。在此 256 个字节中,还开辟有一个所谓“位地址”区,该区域内不但可按字节寻址,还可按“位(bit)”寻址。对于那些需要进行位操作的数据,可以存放到这个区域。从 00H 到 1FH 安排了四组工作寄存器,每组占用 8 个 RAM 字节,记为 R0~R7。究竟选用那一组寄存器,由前述标志寄存器中的 RS1 和 RS0 来选用。在这两位上放入不同的二进制数,即可选用不同的寄存器组。
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