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马鞍山杰生半导体有限公司
主营：广东深紫外LED灯珠,紫外线杀菌灯珠,UV 灯珠
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| 先生： |
用于白光的LED大功率芯片一般在市场上可以看到的都在40mil左右，LED外延片生产厂家，所谓的大功率芯片的使用功率一般是指电功率在1W以上。
由于量i子效率一般小于20%大部分电能会转换成热能，广东LED外延片，所以大功率芯片的散热很重要，要求芯片有较大的面积。
制造GaN外延材料的芯片工艺和加工设备与GaP、GaAs、InGaAlP相比有哪些不同的要求?为什么?
普通的LED红黄芯片和高亮四元红黄芯片的基板都采用GaP、GaAs等化合物半导体材料，一般都可以做成N型衬底。
采用湿法工艺进行光刻，较为后用金刚砂轮刀片切割成芯片。
GaN材料的蓝绿芯片是用的蓝宝石衬底，由于蓝宝石衬底是绝缘的，所以不能作为LED的一个极，LED外延片供应商，必须通过干法刻蚀的工艺在外延面上同时制作P/N两个电极并且还要通过一些钝化工艺。由于蓝宝石很硬，用金刚砂轮刀片很难划成芯片。
它的工艺过程一般要比GaP、GaAs材料的LED多而复杂。
LED模组安装注意事项：
1.没有经过防水处理的LED模组，安装在吸塑字或者箱体时，应预防雨水进入。
2.LED模组的间距可根据亮度和模组大小等实际情况进行调整，每平方的数量一般在50-100组之间。在排布LED模组的时候，应注意发光的均匀和亮度需求;模组与字体边的距离一般为2-5公分，模组与模组间的垂直和水平距离建议为2-6CM。LED模组安装时不可推，LED外延片定制厂家，挤压模组上的器件，以免造成器件的破坏，里面的连接线应该玻璃胶固定在地板上，以免遮光。
3.LED模组与发光体表面的距离要控制好，这样才能保证光的均匀性和亮度，所以灯箱的厚度也很重要。
2003年6月中国科技部首i次提出我国发展半导体照明，标志着我国半导体照明项目正式启动。
2006年的“十一五”将半导体照明工程作为国家的一个重大工程进行推动，在国家政策和资金的倾斜支持下，2010年我国LED产业规模超1500亿元。
2011年国家发改委正式发布中国淘汰白炽灯的公告及路线图，明确提出2016年将全i面禁止白炽灯的销售。2011年至2016年为淘汰白炽灯的过渡期，同时也是LED照明行业的快速发展期。
中国LED产业起步阶段，芯片主要依赖进口。近年来，在国家政策支持下，我国LED芯片厂商加大研发投入，国内LED芯片行业发展迅速，产能逐渐向中国大陆转移，2017年国内LED芯片供过于求苗头初现，主流芯片厂开始转向高i端产能并进行扩产。
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第5年
