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在LED芯片制作过程中,把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片,分捡出来,这些就是后面的散晶,此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的晶片,LED模组经销商,也就自然成了边片。

刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试,对于不符合相关要求的晶圆片作另外处理,这些晶圆片是不能直接用来做LED方片,也就不做任何分检了,直接卖给客户了,LED模组,也就是目前市场上的LED大圆片(但是大圆片里也有好东西,如方片)。

LED制作流程分为两大部分。

首先在衬低上制作氮化家(GaN)基的外延片,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。

准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后,按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。

常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底,还有GaAs、AlN、ZnO等材料。

MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应,将所需的产物沉积在衬底表面。

通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例,从而控制镀膜成分、晶相等品质。

MOCVD外延炉是制作LED外延片蕞常用的设备。

LED芯片组成及发光

LED芯片组成及发光

LED晶片的组成:主要有申(AS)铝(AL)家(Ga)铟(IN)磷(P)氮(N)锶(Si)这几种元素中的若干种组成。

LED晶片的分类:

1、按发光亮度分:

A、一般亮度:R、H、G、Y、E等

B、高亮度:VG、VY、SR等

C、超高亮度:UG、UY、UR、UYS、URF、UE等

D、不可见光(红外线):R、SIR、VIR、HIR

E、红外线接收管:PT

F、光电管:PD

2、按组成元素分:

A、二元晶片(磷、家):H、G等

B、三元晶片(磷、家、申):SR、HR、UR等

C、四元晶片(磷、铝、家、铟):SRF、HRF、URF、VY、HY、UY、UYS、UE、HE、UG

蓝光LED通常采用Al2O3衬底,Al2O3衬底硬度很高、热导率和电导率低,如果采用正装结构,一方面会带来防静电问题,另一方面,在大电流情况下散热也会成为较为主要的问题。

同时由于正面电极朝上,会遮掉一部分光,LED模组定制价格,发光效率会降低。

大功率蓝光LED通过芯片倒装技术可以比传统的封装技术得到更多的有效出光。

现在主流的倒装结构做法是:首先制备出具有适合共晶焊接电极的大尺寸蓝光LED芯片,同时制备出比蓝光LED芯片略大的硅衬底,并在上面制作出供共晶焊接的金导电层及引出导线层(超声金丝球焊点)。

然后,利用共晶焊接设备将大功率蓝光LED芯片与硅衬底焊接在一起。

这种结构的特点是外延层直接与硅衬底接触,硅衬底的热阻又远远低于蓝宝石衬底,所以散热的问题很好地解决了。

由于倒装后蓝宝石衬底朝上,成为出光面,蓝宝石是透明的,因此出光问题也得到解决。

以上就是LED技术的相关知识,相信随着科学技术的发展,LED模组定制,未来的LED灯回越来越高i效,使用寿命也会由很大的提升,为我们带来更大便利。

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