测井225度高温存储器
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DRAM的特点:
(1) 利用电容存储电荷的原理来存储信息的。由于电容会逐渐放电,所以,必须对DRAM中的电容不断地补充电荷,这一过程称为刷新。
(2) 典型的刷新周期为2ms,一般用专门的DRAM控制器控制刷新,其刷新过程称为刷新周期。
(3) 所用MOS管较SRAM少,芯片位密度较高,如32Kb×1,16Mb×1。
(4) 功耗较小。
150度原装存储器价格
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高访问速度现代的随机存取存储器几乎是所有访问设备中写入和读取速度快的,取存延迟也和其他涉及机械运作的存储设备相比,也显得微不足道。折叠需要刷新现代的随机存取存储器依赖电容器存储数据。电容器充满电后代表1(二进制),未充电的代表0。由于电容器或多或少有漏电的情形,若不作特别处理,数据会渐渐随时间流失。刷新是期读取电容器的状态,然后按照原来的状态重新为电容器充电,弥补流失了的电荷。需要刷新正好解释了随机存取存储器的易失性。折叠对静电敏感正如其他精细的集成电路,随机存取存储器对环境的静电荷非常敏感。静电会干扰存储器内电容器的电荷,引致数据流失,甚至烧坏电路。故此触碰随机存取存储器前,FLASH芯片,应先用手触摸金属接地。
225度测井存储器高温
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NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。
NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
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