1温度对微弧氧化的影响
微弧氧化与阳极氧化不同,所需温度范围较宽。一般为10-90度。温度越高,成膜越快,但粗糙度也增加。且温度高,会形成水气。一般建议在20-60度。由于微弧氧化以热能形式释放,所以液体温度上升较快,微弧氧化过程须配备容量较大的热交换制冷系统以控制槽液温度。
2.时间对微弧氧化的影响
微弧氧化时间一般控制在10~60min。氧化时间越长,膜的致密性越好,小型微弧氧化电源,但其粗糙度也增加。
3.阴极材料
阴极材料可选用不锈钢,碳钢,镍等,可将上述材料悬挂使用或做成阴极槽体。
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.后处理对微弧氧化的影响微弧氧化过后,工件可不经过任何处理直接使用,也可进行封闭,电泳,抛光等后续处理。折叠
负占空比对钛合金微弧氧化膜层的影响
恒压模式下,微弧氧化电源原理,利用自制的多功能微弧氧化设备在Na2SiO3—Na3PO4—NaOH电解液体系中制备了钛合金陶瓷膜,采用扫描电镜、X射线衍射仪等考察了负占空比(dc)对钛合金微弧氧化膜厚度、表面形貌、硬度、相组成及耐蚀性的影响。结果表明:随着dc的增加,微弧氧化电源,膜层厚度减小;膜层表面呈典型的多孔陶瓷结构,随dc的增大,膜层表面微孔数量减少,孔径增大且有裂纹产生;膜层相组成主要为Ti、金红石及锐钛矿TiO2,在dc=45%时基体衍射峰消失。相对基体而言,膜层的硬度及耐蚀性都具有较大的提高;随dc增加,膜层硬度增强,耐蚀性有一定程度的减弱。
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