一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,WP3080mos,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。MOS管的source(源极)和drain(耗尽层)是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为PMOS管(P沟道型)和NMOS(N沟道型)管,属于绝缘栅场效应管。
发热情况有:
1.电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,3080mos公司,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以U*I也增大,损耗就意味着发热。这是设计电路的非常忌讳的错误。
2.频率太高,主要是有时过分追求体积,导致频率提高,MOS管上的损耗增大了,所以发热也加大了。
3.没有做好足够的散热设计,电流太高,MOS管标称的电流值,一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于大电流,也可能发热严重,需要足够的辅助散热片。
4.MOS管的选型有误,对功率判断有误,MOS管内阻没有充分考虑,台州3080mos,导致开关阻抗增大。
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做电源电路,或是做推动领域的电源电路,免不了要使用MOS管。MOS管有很多类型,也是有许多功效。做开关电源或是推动的应用,自然便是用它的开关功效。
不管N型或是P型MOS管,其原理实质是一样的。MOS管是由加在键入端栅极的电流来调节輸出端漏极的电流。MOS管是压控器件它根据加在栅极上的电流操纵器件的特点,不容易产生像三极管做开关时的因基极电流造成的正电荷储存效用,因而在开关运用中,MOS管的开关速率应当比三极管快。
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