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合肥启尔特石油科技有限公司
主营：175度晶振,150度单片机,150度存储器,175度电容
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eRAM、MRAM和OUM这三种存储器与传统的半导体存储器相比有许多突出的优点，其应用前景十分诱人。近年来，人们对它们的研究己取得了可喜的进展，尤其是FeRAM己实现了初步的商业应用。但它们要在实际应用上取得进一步重大突破，210度高温可编程存储器介绍，还有大量的研究工作要做。同时存储技术的发展是没有止境的，但是追求更高密度、更大带宽、更低功耗、更短延迟时间、更低成本和更高可靠性的目标永远不会改变。
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动态随机存储器（DRAM）
动态RAM的存储矩阵由动态MOS存储单元组成。动态MOS存储单元利用MOS管的栅极电容来存储信息，但由于栅极电容的容量很小，而漏电流又不可能等于0，所以电荷保存的时间有限。为了避免存储信息的丢失，必须定时地给电容补充漏掉的电荷。
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AM：Random Access Memory，随机访问存储器。以手机为例，210度可编程存储器介绍，RAM在手机上相当于运行内存，是用来存储和保存数据的。
RAM可以通过指令随机的、个别的对各个存储单元进行访问，一般访问时间基本固定，而与存储单元地址无关。
RAM的速度比较快，但是其保存的信息需要电力支持，一旦丢失供电即数据消失，所以又叫易失性存储器。
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