合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,210度可编程存储器介绍,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,175度可编程存储器介绍,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。
Flash 存储器的操作
对 Flash 存储器的操作一般是进行读、写和擦除。Flash 存储器的擦除必须是以1KB 为单位对齐的地址并哪一区块被擦除,或者全部擦除。
Flash 存储器的编程写入的地址必须以字(4 个字节)为单位对齐,且指明要写入的具体地址。也就是说可以是任意地址,但必须满足写入的地址是字对齐的。
Flash 存储器的读取也可以是任意地址的数据,但必须满足读取的地址是字对齐的,否则,读出的数据不正确,结果也难以预料。
210度进口存储器合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,210度高温可编程存储器介绍,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。EEPROM存储器原理
EEPROM存储器采用浮栅晶体管作为存储单元,通过向浮栅注入或移除电荷来改变晶体管的阈值电压,从而实现数据的存储。与传统ROM相比,EEPROM具有可擦除和可编程的特性,使得数据可以被修改。
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动态RAM的存储矩阵由动态MOS存储单元组成。动态MOS存储单元利用MOS管的栅极电容来存储信息,但由于栅极电容的容量很小,而漏电流又不可能等于0,所以电荷保存的时间有限。为了避免存储信息的丢失,必须定时地给电容补充漏掉的电荷。
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