1.位翻转错误:EEPROM存储器中的存储单元可能会因为电子泄漏或干扰而发生位翻转,导致存储的数据发生错误。这种情况可能会导致系统崩溃或数据丢失。
2、写入错误:EEPROM存储器在写入数据时,可能会发生写入错误。这可能是由于电压不稳定、电流过大或其他原因引起的。写入错误可能导致存储的数据损坏或不完整。
3、擦除错误:EEPROM存储器在擦除数据时,可能会发生擦除错误。这可能是由于擦除电压不稳定、擦除时间过长或其他原因引起的。擦除错误可能导致存储的数据无法完全擦除或部分损坏。
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EEPROM存储器采用浮栅晶体管作为存储单元,通过向浮栅注入或移除电荷来改变晶体管的阈值电压,200度可擦除存储器参数,从而实现数据的存储。与传统ROM相比,EEPROM具有可擦除和可编程的特性,使得数据可以被修改。
合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLash存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。由EPROM操作的不便,后来出的主板上BIOS ROM芯片大部分都采用EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM,电可擦除可编程ROM)。EPROM的擦除不需要借助于其它设备,它是以电子信号来修改其内容的,可擦除存储器,而且是以Byte为小修位,不必将资料全部洗掉才能写入,摆脱了EPROM Eraser和编程器的束缚。EPROM在写入数据时,仍要利用一定的编程电压,此时,只需用厂商提供的刷新程序就可以轻而易举地改写内容,所以,210度高温可擦除存储器参数,它属于双电压芯片。借助于EPROM芯片的双电压特性,可以使BIOS具有良好的防毒功能,175度高温可擦除存储器参数,在升级时,把跳线开关打至“ON”的位置,即给芯片加上相应的编程电压,就可以方便地升级;平时使用时,则把跳线开关打至“OFF”的位置,防止CIH类的病毒对BIOS芯片的修改。所以,至今仍有不少主板采用EPROM作为BIOS芯片并作为自己主板的一大特色。
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