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此外，使用混入了导电性填充剂的电子导电性橡胶的导电辊，其电阻值与施加的电压有关，存在电阻值不固定的问题。特别是采用碳黑作为导电性填充剂时，这些倾向更明显。
由于使用了电子导电性橡胶的导电辊，不论是采用间歇式制法还是连续硫化处理法，都存在电阻值不均匀的问题，所以在数字化、彩色化等提高图像质量的技术日新月异的今天，希望用离子导电性橡胶替代电子导电性橡胶。
1：金属镀钯，镀钯铜提钯技术：首先把镀钯铜等表面镀钯料放入容器中，贵金属靶材多少钱，再加入自配退钯溶液，数秒中后表面钯退净，取出镀钯铜基体(此方法对基体无伤害，再用自配化学试剂，钯和溶液分离
2：合金含钯，铜钯合金提钯技术：把铜钯合金放入容器中，贵金属靶材生产加工，加入自配化学品把铜钯合金溶解成液体，再用自配化学试剂把钯和溶液分离。
3：废钯碳催化剂提钯，贵金属靶材厂家，首先用物理原理把碳等有机物去除，剩下金属钯，再用化学试剂溶解金属钯，再进行下一步钯分离。
而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率，能够满足！导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。
为了解决以上这些问题，贵金属靶材，需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50nm，与铜及介质材料的附着性能良好。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。铜互连的阻挡层用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。
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第8年
