闪速存储器(Flash ROM)是20世纪80年代中期出现的一种块擦写型存储器,是一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器,210度随机存储器公司,Flash ROM突破了传统的存储器体系,改善了存储器产品的特性。
Flash ROM中的内容不像RAM一样需要电源支持才能保存,但又像RAM一样可重写。在某种低电压下,Flash ROM的内部信息可读不可写,类似于ROM,而在较高的电压下,其内部信息可以更改和删除,又类似于RAM。
200度FLash存储器合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLash存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,随机存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。只读存储器的内容由可编程逻辑控制器制造商编写并固化。PLC断电后,ROM的内容不会丢失。用户只能阅读,不能重写。因此,ROM常用来存储系统程序,具有开机自检、键盘输入处理、用户程序翻译、信息传输、工作模式选择等功能。
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存取时间(访问时间)TA:从存储器接收到读/写命令到信息被读出或写入完成所需的时间(决定于存储介质的物理特性和寻址部件的结构)。
例如:
ROM存取时间通常为几百ns;
RAM存取时间通常为几十ns到一百多ns;
双极性RAM存取时间通常为10~20ns。
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