随着半导体LED技术的发展,其在照明领域的应用也越来越多,特别是白光LED的出现,更是成为半导体照明的热点。
但是关键的芯片、封装技术还有待提高,在芯片方面要朝大功率、高光效和降低热阻方面发展。
提高功率意味着芯片的使用电流加大,较为直接的办法是加大芯片尺寸,LED外延片价格,现在普遍出现的大功率芯片都在1mm×1mm左右,使用电流在350mA.由于使用电流的加大,散热问题成为突出问题,现在通过芯片倒装的方法基本解决了这一文题。
随着LED技术的发展,其在照明领域的应用会面临一个从未有的机遇和挑战。
LED芯片结构蕞近看了不少 LED芯片相关的资料,简单介绍下 LED 芯片的结构和制造流程,帮助理解 LED 相关企业的发展情况以及发展前景。
LED 芯片一共包含两部分主要内容,一个是 LED 外延片 — 上图中下面的蓝宝石衬底以及衬底上的氮化家(GaN)缓冲层;一个是在外延片上面用来发光的量i子阱和 PN 电极层。所以 LED 芯片一共涉及三个生产工序:发光外延片生长、芯片生长和制造、芯片封装。
在上面三个工序中,外延片的生长技术含量蕞高、芯片制造次之、而封装又次之。
所谓透明电极一是要能够导电,二是要能够透光。
这种材料现在较为广泛应用在液晶生产工艺中,其名称叫氧化铟锡,英文缩写ITO,但它不能作为焊垫使用。
制作时先要在芯片表面做好欧姆电极,然后在表面覆盖一层ITO再在ITO表面镀一层焊垫。
这样从引线上下来的电流通过ITO层均匀分布到各个欧姆接触电极上,LED外延片,同时ITO由于折射率处于空气与外延材料折射率之间,可提高出光角度,光通量也可增加。
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