公司成立于2013年7月,2090mos公司,专注从事单片机的应用开发及生产,2090mos万芯半导体,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
跟双旋光性晶体三极管对比,一般觉得使MOS管导通不用电流量,只需要GS电压高过一定的值就可以了。做到这一点比较容易,我们主要是需要一定的速率。
对于MOS管的结构来说,我们可以发现在GS、GD里会有一些寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容充电和放电。对于电容的充电我们只需要一个电流就够了,由于电容在充电的瞬间相当于可以把电容当做是短路,这个时候的瞬间电流会比一般情况下数值要高一些。因此我们再挑选或者是设计MOS管驱动电路方案的时候,首先要先留意可提供的瞬间短路电流大小。
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场效应管有两大类型:N沟道和P沟道。在功率系统中,场效应管可被看成电气开关。当在n沟道场效应管的栅极和源极间加上正电压时,其开关导通。导通时,电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻,称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚场效应管的栅极是个高阻抗端,因此,总是要在栅极加上一个电压。如果栅极为悬空,器件将不能按设计意图工作,并可能在不恰当的时刻导通或关闭,导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时,开关关闭,而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭,但仍然有微小电流存在,这称之为漏电流,2090mos厂家,即IDSS。
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场效应管的主要参数有很多种,其中包含直流电流、交流电流的参数和极限参数,但一般应用时只需关心下列基本参数:饱和状态的漏源电流量IDSS夹断电压Up,跨导gm、漏源击穿电压BUDS、较大损耗输出功率PDSM和较大漏源电流量IDSM。
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