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北京晶宇兴科技有限公司
主营：晶体振荡器,晶体谐振器,压控振荡器
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一种具有温度补偿效应的环形振荡器设计
介绍了一种基于O.35μm标准CMOS工艺实现的三级差分环形压控振荡器。结果表明，2.5V电源电压供电时，振荡器中心频率为315MHz，工作电流为330uA，七专级电压可调振荡器现货，电路功耗仅为825uW。温度范围为一30~80℃，输出频率的中心频率为295~328MHz，七专级电压可调振荡器现货，频率变化小于1000ppm。本设计可极大的改善由于温度引起的振荡器频率严重变化的影响，可应用于锁相环和频率综合器设计中。
1. 中心频率指频率调节范围的中间值，CMOS输出可达到245.0MHz，LVDS可达到2.1GHz， HCSL可达到700MHz。
2. 输出方式根据需要采用不同的输出。CMOS， LVDS，七专级电压可调振荡器现货， HCSL，电压可调振荡器现货， True Sine都有不同的波形特征以及用途。
3. 工作电压可根据具体型号选择1.8V/2.5V/3.3V/5.0V。其中3.3V的应用较为广泛。
4. 压控范围通过调节控制电压改变输出频率。单位为ppm，范围一般为±50~200ppm。
5. 频率稳定度在工作温度范围内，对标称频率允许的偏差，单位一般为百万分之一即ppm。
6. 工作温度工业级标准-40~85℃。特殊应用会对温度有更高的要求。
利用压控振荡器来控制频率
高频压控振荡器的电压控制频率部份， 通常是用变容二极管C 与电感 L， 所接成的 LC 谐振电路。提高变容二极管的逆向偏压， 二极管内的空泛区会加大， 两导体面之距离一变长， 电容就降低了， 此 LC 电路的谐振频率， 就会被提高. 反之， 降低逆向偏压时， 二极管内的电容变大， 频率就会降低.
而低频压控振荡器则依照不同频率而选择不同的方法，例如以改变对电容的充电速率为手段来得到一个电压控制的电流源。参见波型产生器。
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第5年
