它在大气中的寿命约为50,000年,增温(暖化)系数是6,500(二氧化碳的系数是1)。虽然结构与氟氯烃相似,但四氟化碳不会破坏臭氧层。四氟化碳是目前微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体,其高纯气及四氟化碳高纯气配高纯氧气的混合体,可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的蚀刻。预先称取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的单质硅粉,高纯四氟化碳,置于镍盘中,使硅和碳化硅充分接触后,将镍盘放入蒙乃尔合金反应管中,向反应管内通入氟气,氟气先和单质硅反应。
四氟化碳物理性质 :
熔点-183.6℃,
分子式是CF4,四氟化碳厂家,
沸点-128.1℃,
液体密度(-130℃)1.613g/cm3,
液体折光率(-173℃)1.515,
固体转变点72.2K,
临界温度-45.67℃,四氟化碳,
临界压力3.73MPa,
蒸气压(-150.7℃)13.33kPa
介电常数(25℃,0.5MPa)1.0006
临界密度:7.1dm3/mol
标准摩尔自由能:-929.84 kJ/mol
标准摩尔生成自由能:-887.41 kJ/mol
危险性类别:第2.2类不燃气体
四氟化碳的密度比较高,可以填满地面空间范围,在不通风的地方会导致窒息。四氟化碳成品应存放在阴凉,干燥,通风的库房内,严禁曝晒,远离热源。四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源,用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳是目前微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体,其高纯气及四氟化碳高纯气配高纯氧气的混合体,可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的蚀刻。
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