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马鞍山杰生半导体有限公司
主营：广东深紫外LED灯珠,紫外线杀菌灯珠,UV 灯珠
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LED模组是LED产品中应用比较广的产品，在结构方面和电子方面也存在很大的差异。简单的就是用一个装有LED的线路板和外壳就成了一个LED模组，复杂的就加上一些控制，恒流源和相关的散热处理使LED寿命和发光强度更好。
led模组分类
1、从发光颜色来分：单色模组、双色模组以及全彩模组；
2、从使用空间来分：室内模组、半户外模组以及户外模组；
3、按LED灯珠功率分：小功率（0.3W以下）、中功率（0.3-0.5W）、大功率（1W及以上）；
在LED芯片制作过程中，把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片，分捡出来，LED模组批发，这些就是后面的散晶，此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的晶片，也就自然成了边片。
刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试，对于不符合相关要求的晶圆片作另外处理，上海LED模组，这些晶圆片是不能直接用来做LED方片，也就不做任何分检了，直接卖给客户了，LED模组价格，也就是目前市场上的LED大圆片(但是大圆片里也有好东西，如方片)。
LED制作流程分为两大部分。
首先在衬低上制作氮化家(GaN)基的外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。
准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。
常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，还有GaAs、AlN、ZnO等材料。
MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应，将所需的产物沉积在衬底表面。
通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例，从而控制镀膜成分、晶相等品质。
MOCVD外延炉是制作LED外延片蕞常用的设备。
LED芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极，LED模组供应商，并能满足可接触材料之间较为小的压降及提供焊线的压垫，同时尽可能的多地出光。
渡膜工艺一般用真空蒸镀方法，4Pa高真空下，用电阻加热或电子束轰击加热方法使材料熔化，并在低气压下BZX79C18变成金属蒸气沉积在半导体材料表面。
一般所用的P型接触金属包括AuBe、AuZn等合金，N面的接触金属常采用AuGeNi合金。
镀膜后形成的合金层还需要通过光刻工艺将发光区尽可能多地露出来，使留下来的合金层能满足有效可靠的低欧姆接触电极及焊线压垫的要求。
光刻工序结束后还要通过合金化过程，合金化通常是在H2或N2的保护下进行。
合金化的时间和温度通常是根据半导体材料特性与合金炉形式等因素决定。
当然若是蓝绿等芯片电极工艺还要复杂，需增加钝化膜生长、等离子刻蚀工艺等。
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第6年
