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主营：晶体振荡器,晶体谐振器,压控振荡器
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晶振的负载电容
晶振有一个重要的参数，差分晶振，那就是负载电容值，选择与负载电容值相等的并联电容，就可以得到晶振标称的谐振频率。
一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器（注意是放大器不是反相器）的两端接入晶振，再有两个电容分别接到晶振的两端，每个电容的另一端再接到地，这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容，请注意一般IC的引脚都有等效输入电容，差分晶振加工，这个不能忽略。
一般的晶振的负载电容为15p或12.5p ，如果再考虑元件引脚的等效输入电容，则两个22p的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。负载电容+等效输入电容=22pF。
晶体振荡器原理
将电压施加到所述石英晶体的压电元件（电场的应用到），变形发生在压电体。这种现象发现者，雅克和皮埃尔居里是兄弟。电性能，通常是一个电容器作为其固有频率附近特定频率仅频带线圈作为电感性电抗充当具有。应用此原理的电子组件是晶体谐振器。AT是一种常见的晶体振荡器谐振器是压电晶体元件具有两个（晶体坯）电极由夹的石英振动元件在上笼的影片。由于石英振荡器会引起自由振动，因此波形会变成正弦波。
温补晶振介绍
温补晶振输出方式分：削峰正弦波输出（+/-1ppm@-40℃--+85℃），差分晶振现货，CMOS 方波输出（+/-1ppm@-40℃--+85℃），LVDS 差分方波输出（+/-1ppm@-40℃--+85℃）（0.8p 低抖动）。另外温补晶振 32.768KHz 低功耗可达（0.79μA@1.8V，1.05μA@2.5V，1.25μA@3.0V，1.37μA@3.3V，2.05μA@5V）。
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第5年
