区域提纯后的金属锗,其锭底表面上的电阻率为30~50欧姆 厘米时,纯度相当于8~9,可以满足电子器件的要求。但对于杂质浓度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探测器级超纯锗,则尚须经过特殊处理。
由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1,要加强化学提纯方法除去这些杂质,金粒回收,然后再进行区熔提纯。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质(载流子)浓度,一般可达10~10原子/厘米。经切头去尾,再利用多次拉晶和切割尾,金粒报价,一直达到所要求的纯度(10原子/厘米),这样纯度的锗(相当于13)所作的探测器,其分辨率已接近于理论数值。
在储存技术方面,高密度、大容量硬盘的发展,金粒加工,需要大量的巨磁阻薄膜材料,CoF~Cu多层复合膜是如今应用广泛的巨磁阻薄膜结构。磁光盘需要的TbFeCo合金靶材还在进一步发展,用它制造的磁光盘具有存储容量大,寿命长,可反复无接触擦写的特点。如今开发出来的磁光盘,具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的层复合膜结构,TbFeCo/AI结构的Kerr旋转角达到58,而TbFeCofFa则可以接近0.8。经过研究发现,低磁导率的靶材高交流局部放电电压l抗电强度。
在使用电子照相方法的打印技术中,已经渐进实现高速打印操作、高质量图像形成、彩色像形成、以及成像装置小型化,并且变得很普遍。色粉一直是这些改进的关键。为满足上述需要,必须形成精细分配的色粉颗粒,使得色粉颗粒的直径均一,湖南金粒,并且使得色粉颗粒呈球形。至于形成精细分配的色粉颗粒的技术,近已经开发出直径不超过10nm的色粉和不超过5pm的色粉。至于使色粉呈球形的技术,已经开发出球形度99%以上的色粉。
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