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电子芯片和led芯片有什么区别?

我们平常所见到的电子芯片,比如arm芯片、ASIC芯片、FGPA芯片等,跟LED芯片主要有什么区别?LED芯片是不是只是把一大堆能发光的二极管布在晶圆上呢?LED芯片有没有28nm、14nm这样的制程的说法呢?

蕞大的不同是:1,材料不一样,前者为硅基,led外延片,后者为三五族化合物;2,led外延片报价,前者是集成器件,后者是分立器件;3,后者对材料缺陷率要求更高。

电子芯片长在硅衬底上,中间各种光刻、刻蚀、掺杂、长膜、氧化等都以硅或二氧化硅材料为主;而LED长在蓝宝石(Al2O3)、SiC或Si衬底上,缓冲层后长成后,led外延片多少钱,再长N型GaN层和P型GaN层,中间一层多量i子阱发光层。电流经过PN结时因为电势能的变化将多余的能量以光的形式散发出去,不同的电势能差则光的能量也有不同,表现就是不同的发光颜色(如蓝光、红光LED,红光能量低技术简单,很多年以前就出来了;蓝光LED能量高,难度大。蓝光LED激发黄色荧光粉可产生白光)

外延片与晶圆的关系

分子束外延法属于物理气相沉积PVD里的真空蒸发法的一种,广泛用于制造各种光集成器件和各种超晶格结构薄膜。

芯片制造全部工艺的成品叫做晶圆wafer,前道工艺流程中的一个环节是薄膜沉积,也就是真空镀膜,分子束外延就是薄膜沉积的一种方法,在裸硅片(或者其他衬底)上利用分子束外延法镀上多层薄膜,形成该芯片所需要的结构,用分子束外延法制作出来的已经完成镀膜的半成品就是外延片,外延片再经过光刻、刻蚀、清洗、离子注入等工艺环节,再经过打线、Bonder、FCB、BGA植球、检测等后道工艺形成的成品就是晶圆wafer。

LED芯片组成及发光

LED晶片的组成:主要有申(AS)铝(AL)家(Ga)铟(IN)磷(P)氮(N)锶(Si)这几种元素中的若干种组成。

LED晶片的分类:

1、按发光亮度分:

A、一般亮度:R、H、G、Y、E等

B、高亮度:VG、VY、SR等

C、超高亮度:UG、UY、UR、UYS、URF、UE等

D、不可见光(红外线):R、SIR、VIR、HIR

E、红外线接收管:PT

F、光电管:PD

2、按组成元素分:

A、二元晶片(磷、家):H、G等

B、三元晶片(磷、家、申):SR、HR、UR等

C、四元晶片(磷、铝、家、铟):SRF、HRF、URF、VY、HY、UY、UYS、UE、HE、UG

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