精铝经过区熔提纯,只能达到5 的高纯铝,纯铂靶材价格,但如使用在有机物电解液中进行电解,可将铝提纯到99.9995%,并可除去有不利分配系数的杂质,然后进行区熔提纯数次,就能达到接近于 7 的纯度,杂质总含量<0.5ppm。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外,还在低温下有高的导电性能,可用于低温电磁设备。
制备化合物半导体的金属如铟、磷,可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属,总金属杂质含量为 0.1~1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到≥6 的水平。
平面显示器(FPD)这些年来大幅冲击以阴极射线管(CRT)为主的电脑显示器及电视机市场,亦将带动ITO靶材的技术与市场需求。如今的iTO靶材有两种.一种是采用纳米状态的氧化铟混合后烧结,一种是采用铟锡合金靶材。铟锡台金靶材可以采用直流反应溅射制造ITO薄膜,但是靶表面会氧化而影响溅射率,并且不易得到大尺寸的台金靶材。如今一般采取方法生产ITO靶材,利用L}IRF反应溅射镀膜.它具有沉积速度快.且能控制膜厚,电导率高,纯铂靶材工艺,薄膜的一致性好,与基板的附着力强等优点。
背靶的选择
对材质的要求:一般选用无氧铜和钼靶,大连纯铂靶材,厚度在3mm左右
导电性好:常用无氧铜,纯铂靶材谁家好,无氧铜的导热性比紫铜好;
强度足够:太薄,易变形,不易真空密封。
结构要求:空心或者实心结构;
厚度适中:3mm左右,太厚,消耗部分磁强;太薄,容易变形。
铟焊绑定的流程
1.绑定前的靶材和背板表面预处理
2.将靶材和背板放置在钎焊台上,升温到绑定温度
3.做靶材和背板金属化
4.粘接靶材和背板
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