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有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
在一般电子电路中,通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中,MOSFET扮演的角色主要是判断电位,它在主板上常用“Q”加数字表示。
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在开关电源应用方面,这种应用需要MOS管定期导通和关断。比如,DC-DC电源中常用的基本降i压转换器依赖两个MOS管来执行开关功能,宁波万芯mos管,这些开关交替在电感里存储能量,然后把能量释放给负载。我们常选择数百kHz乃至1MHz以上的频率,因为频率越高,磁性元件可以更小更轻。在正常工作期间,万芯mos管报价,MOS管只相当于一个导体。因此,万芯mos管价格,我们电路或者电源设计人员关心的是MOS的传导损耗。
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MOS管是利用VGS去控制“感应电荷”的多少,由此去改变由这些“感应电荷”所形成的导电沟道的状况,以此来控制漏极电流。在管子制造时,通过一些特殊工艺使得绝缘层出现大量的正离子,所以在交界面另一侧可以感测出比较多的负电荷,高渗杂质的N区被这些负电荷接通,导电沟道也就形成了,即便在VGS为0时也会有比较大的漏极电流ID。如果栅极电压发生改变时,沟道里的被感应电荷量也会发生改变,导电沟道中的宽窄也会随着改变,因此漏极电流ID会伴随着栅极电压的变化而发生变化。
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