在晶片上生长为外延片的步骤:
在单晶衬底上生长一薄层单晶工艺,称为外延;长有外延层的晶体片称为外延片;外延材料是LED的部分。LED的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延材料。 外延技术和设备分气相外延、液相外延、金属有机化合物气相外延(MOCVD),目前主流方式为 MOCVD,而 MOCVD 外延炉则是 LED 外延片和芯片制造过程中的蕞重要的设备,在2008年前后时期,led外延片报价,一套 MOCVD 设备需要上千万人民i币左右。
把衬底放到外延炉中,led外延片厂家,然后控制化合物气体在衬底上沉积,就像植物从地下生长上来一样,化合物沉积到衬底上好像从衬底上生长上来的一样,所以称之为外延片生长。需要生长多层微米级别的不同层。
LED 外延片工艺流程如下:
衬底 - 结构设计- 缓冲层生长- N型GaN 层生长- 多量i子阱发光层生- P 型GaN 层生长- 退火- 检测(光荧光、X 射线) - 外延片;
外延片- 设计、加工掩模版- 光刻- 离子刻蚀- N 型电极(镀膜、退火、刻蚀) - P 型电极(镀膜、退火、刻蚀) - 划片- 芯片分检、分级
具体介绍如下:
固定:将单晶硅棒固定在加工台上。
切片:将单晶硅棒切成具有精i确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋,产生废水和硅渣。
退火:双工位热氧化炉经氮气吹扫后,用红外加热至300~500℃,硅片表面和氧气发生反应,使硅片表面形成二氧化硅保护层。
倒角:将退火的硅片进行修整成圆弧形,防止硅片边缘破i裂及晶格缺陷产生,led外延片批发,增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋,产生废水和硅渣。
分档检测:为保证硅片的规格和质量,对其进行检测。此处会产生废品。
研磨:用磨片i剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层,有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度,达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片i剂。
清洗:通过有机i溶剂的溶解作用,结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。此工序产生有机废气和废有机i溶剂。
RCA清洗:通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。
一、定义
1、LED晶片为LED的主要原材料,LED主要依靠晶片来发光。
2、LED芯片是一种固态的半导体器件,就是一个P-N结,滁州led外延片,它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片,晶片的一端附在一个支架上,一端是负极,另一端连接电源的正极,使整个晶片被环氧树脂封装起来。
二、组成
1、LED晶片的组成:要有申(AS)铝(AL)家(Ga)铟(IN)磷(P)氮(N)锶(Si)这几种元素中的若干种组成。
2、LED芯片的组成:由金垫、P极、N极、PN结、背金层构成(双pad芯片无背金层)组成。
三、分类
1、LED晶片
1)按发光亮度分:
A.一般亮度:R﹑H﹑G﹑Y﹑E等;
B.高亮度:VG﹑VY﹑SR等;
C.超高亮度:UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等;
D.不可见光(红外线):IR﹑SIR﹑VIR﹑HIR;
E.红外线接收管:PT;
F.光电管:PD;
2)按组成元素分:
A.二元晶片(磷﹑家):H﹑G等;
B.三元晶片(磷﹑家﹑申):SR﹑HR﹑UR等;
C.四元晶片(磷﹑铝﹑家﹑铟):SRF﹑HRF﹑URF﹑VY﹑HY﹑UY﹑UYS﹑UE﹑HE、UG
2、LED芯片
1)根据用途分:大功率LED芯片、小功率LED芯片两种;
2)根据颜色分:主要分为三种:红色、绿色、蓝色(制作白光的原料);
3)根据形状分:一般分为方片、圆片两种;
4 ) 根据大小分:小功率的芯片一般分为8mil、9mil、12mil、14mil等。
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