绑定的适用范围
技术上来说表面平整可进行金属化处理的靶材都可以用我司铟焊绑定技术绑定铜背靶来提高溅射过程的散热性、提高靶材利用率。
建议绑定的靶材:
ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材及烧结靶材;
锡、铟等软金属靶;
靶材太薄、靶材太贵的情况等。
但下列情况绑定有弊端:
1.熔点低的靶材,贵金属靶材生产加工,像铟、硒等,贵金属靶材报价,金属化的时候可能会变软变形;
2.贵金属靶材,一是实际重量易出现分歧,二是金属化以及解绑的时候都会有浪费料,建议垫一片铜片。
在储存技术方面,高密度、大容量硬盘的发展,需要大量的巨磁阻薄膜材料,CoF~Cu多层复合膜是如今应用广泛的巨磁阻薄膜结构。磁光盘需要的TbFeCo合金靶材还在进一步发展,用它制造的磁光盘具有存储容量大,寿命长,可反复无接触擦写的特点。如今开发出来的磁光盘,贵金属靶材,具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的层复合膜结构,TbFeCo/AI结构的Kerr旋转角达到58,而TbFeCofFa则可以接近0.8。经过研究发现,低磁导率的靶材高交流局部放电电压l抗电强度。
对圆周方向的电阻值的不均匀依然无法改善。
此外,贵金属靶材工艺,采用连续硫化法时,如果硫化时的热传递没有设法尽量达到均匀,则挤压后的硫化速度不一致,这样可能电阻值的不均匀程度反而大于间歇式硫化法。特别是在圆周方向上这种倾向更显著。
采用连续硫化法时,在挤压机的挤压筒内的半径方向上有非常大的剪切速度分布,这可能会影响电子导电性填充剂的分散。
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