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存取时间(访问时间)TA:从存储器接收到读/写命令到信息被读出或写入完成所需的时间(决定于存储介质的物理特性和寻址部件的结构)。
例如:
ROM存取时间通常为几百ns;
RAM存取时间通常为几十ns到一百多ns;
双极性RAM存取时间通常为10~20ns。
150度芯片存储器合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLash存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。闪速存储器(Flash ROM)是20世纪80年代中期出现的一种块擦写型存储器,高温175度只读存储器容量,是一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器,Flash ROM突破了传统的存储器体系,改善了存储器产品的特性。
Flash ROM中的内容不像RAM一样需要电源支持才能保存,但又像RAM一样可重写。在某种低电压下,Flash ROM的内部信息可读不可写,类似于ROM,而在较高的电压下,其内部信息可以更改和删除,高温175度只读存储器厂,又类似于RAM。
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CMOS内存是一种只需要电量就能存放数据的芯片。由于耗能极低,CMOS内存可以由集成到主板上的一个小电池供电,这种电池在计算机通电时还能自动充电。因为CMOS芯片可以持续获得电量,所以即使在关机后,他也能保存有关计算机系统配置的重要数据。
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