现在的 EEPROM 和 FLASH 都属于“可多次电擦除存储器”,但他们二者之间还是有很大差异。
首先,他们差异就是:FLASH按块/扇区进行读写操作,EEPROM支持按字节读写操作。
其次,容量大小不同:FLASH容量可以做到很大,但EEPROM容量一般都很小。
再次,就是它们的应用场景不同:EERPOM存储零散小容量数据,比如:标志位、一组数据等。FLASH存储大容量数据,比如:程序代码、图片信息等。
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1.系统配置信息存储:EEPROM存储器可用于存储设备的配置信息和参数设置,如计算机BIOS设置。
2.数据备份与恢复:在数据存储设备中,EEPROM可作为数据备份,高温175度读写存储器容量,确保数据安全。
3.设备ID与序列号:EEPROM存储器可用于存储设备的标识符,高温200度读写存储器容量,如MAC地址、序列号等。
4.用户偏好设置:在消费电子产品中,EEPROM可用于存储用户的个性化设置,如音量、亮度等。
5.工业控制系统:在工业控制系统中,EEPROM可用于存储控制参数和历史数据,便于故障诊断和分析。
合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。FLASH存储器的基本单元电路,与EEPROM类似,高温175度读写存储器介绍,也是由双层浮空栅MOS管组成。但是一层栅介质很薄,读写存储器,作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同,在第二级浮空栅加以正电压,使电子进入一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用一级浮空栅与源极之间的隧道效应,把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除,因此各单元的源极联在一起,这样,快擦存储器不能按字节擦除,而是全片或分块擦除。
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