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存取时间(访问时间)TA:从存储器接收到读/写命令到信息被读出或写入完成所需的时间(决定于存储介质的物理特性和寻址部件的结构)。
例如:
ROM存取时间通常为几百ns;
RAM存取时间通常为几十ns到一百多ns;
双极性RAM存取时间通常为10~20ns。
200度eeprom存储器合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,高温210度读写存储器型号,如有需要的客户,欢迎来电。随着技术的发展,“只读”这个“传统”的概念有时是可以被一些新特性的器件颠覆的。比如下面这两种类型的ROM就可以使用适当的方法进行擦除或改写:
EPROM:与一般的ROM不同在于,它可用特殊的装置擦除或重写其中的内容。
FLASH:闪速存储器,读写存储器,是完全非易失的,可以在线写入,并且可以按页连续字节写入,读出速度快。
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