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合肥启尔特石油科技有限公司
主营：175度晶振,150度单片机,150度存储器,175度电容
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1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。
NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，读写存储器，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，高温200度读写存储器容量，采用这种技术的制作Flash的成本更廉价。
用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flash以外，还做上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。
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Flash，又叫Flash Memory，即平时所说的“闪存”。
Flash结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的功能，还可以快速读取数据，具有NVRAM的优势（NVRAM：Non-Volatile Random Access Memory，非易失性随机访问存储器）。
在过去，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，Flash的出现，代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘、固态硬盘）。
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EEPROM解决了传统ROM/OTP只能出厂前或一次性固化程序而不利于调试的问题;也突破了EPROM必须脱机用紫外线来擦除的繁琐和不稳定等问题。EEPROM直接采用电来重写数据，并可按字节进行擦除和再编程，从而克服了一般ROM的缺点和不足。但由于EEPROM的存储量一般不大，因此只适用于一些小容量存储的场合。
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第2年
