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合肥启尔特石油科技有限公司
主营：175度晶振,150度单片机,150度存储器,175度电容
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Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，200度可擦除存储器介绍，改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。
NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，即可以根据地址随机读写，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。因为其读取速度快，多用来存储程序、操作系统等重要信息。
210度贴片存储器合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ，适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多，150度常用的是25LC256系列，可擦除存储器，175度FLash存储器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存储器，容量较小，如有需要的客户，欢迎来电。
磁性随机存储器(MRAM)
从原理上讲，MRAM的设计是非常诱人的，它通过控制铁磁体中的电子旋转方向来达到改变读取电流大小的目的，从而使其具备二进制数据存储能力。理论上来说，铁磁体是长久不会失效的，因此它的写入次数也是没有限制的。
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现在的 EEPROM 和 FLASH 都属于“可多次电擦除存储器”，但他们二者之间还是有很大差异。
首先，他们差异就是：FLASH按块/扇区进行读写操作，EEPROM支持按字节读写操作。
其次，容量大小不同：FLASH容量可以做到很大，但EEPROM容量一般都很小。
再次，210度可擦除存储器介绍，就是它们的应用场景不同：EERPOM存储零散小容量数据，比如：标志位、一组数据等。FLASH存储大容量数据，比如：程序代码、图片信息等。
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第2年
