从技术面观之,根据内存晶体管设计架构之不同可分为Cell Type以及Operation Type两种,后者依功能别又可区分为Code Flash(储存程序代码)以及Data Flash(储存一般数据);其中Code Flash驱动方式有NOR及DINOR,而Data Flash的驱动方式则有NAND及AND。
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EEPROM存储器采用浮栅晶体管作为存储单元,通过向浮栅注入或移除电荷来改变晶体管的阈值电压,从而实现数据的存储。与传统ROM相比,EEPROM具有可擦除和可编程的特性,使得数据可以被修改。
合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,200度可擦除存储器价格,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,可擦除存储器,欢迎来电。FLASH存储器的基本单元电路,与EEPROM类似,也是由双层浮空栅MOS管组成。但是一层栅介质很薄,作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同,在第二级浮空栅加以正电压,使电子进入一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用一级浮空栅与源极之间的隧道效应,把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除,210度可擦除存储器介绍,因此各单元的源极联在一起,这样,快擦存储器不能按字节擦除,而是全片或分块擦除。
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