EEPROM解决了传统ROM/OTP只能出厂前或一次性固化程序而不利于调试的问题;也突破了EPROM必须脱机用紫外线来擦除的繁琐和不稳定等问题。EEPROM直接采用电来重写数据,并可按字节进行擦除和再编程,从而克服了一般ROM的缺点和不足。但由于EEPROM的存储量一般不大,因此只适用于一些小容量存储的场合。
测井175度存储器合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。FLASH存储器的基本单元电路,210度随机存储器介绍,与EEPROM类似,也是由双层浮空栅MOS管组成。但是一层栅介质很薄,作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同,在第二级浮空栅加以正电压,使电子进入一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用一级浮空栅与源极之间的隧道效应,把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除,因此各单元的源极联在一起,这样,快擦存储器不能按字节擦除,而是全片或分块擦除。
合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。存储器本身不具有地址信息,它的地址是由芯片厂商或用户分配,随机存储器,给存储器分配地址的过程称为存储器映射,如果再分配一个地址就叫重映射存储器映射ARM 将这 4GB 的存储器空间,平均分成了 8 块区域, 每块区域的大小是 512MB(1)Block0 内部区域功能划分Block0 主要用于设计片内的 FLASH,200度随机存储器介绍,0x0000 0000-0x0007FFFF:取决于 BOOT 引脚,为 FLASH、系统存储器、 SRAM 的别名。0x08000000-0x0807FFFF:片内 FLASH,我们编写.
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