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合肥启尔特石油科技有限公司
主营：175度晶振,150度单片机,150度存储器,175度电容
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有许多比较各种新兴存储器的基准指标，包括写入速度、功耗、耐久性、资料保存期限、可扩展性(scalability)等。但新兴存储器的材料、结构、甚至工作机制，都还在快速进展之中，单看这些数据并不能有较远的能见度。
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1.位翻转错误：EEPROM存储器中的存储单元可能会因为电子泄漏或干扰而发生位翻转，175度静态存储器价格，导致存储的数据发生错误。这种情况可能会导致系统崩溃或数据丢失。
2、写入错误：EEPROM存储器在写入数据时，可能会发生写入错误。这可能是由于电压不稳定、电流过大或其他原因引起的。写入错误可能导致存储的数据损坏或不完整。
3、擦除错误：EEPROM存储器在擦除数据时，可能会发生擦除错误。这可能是由于擦除电压不稳定、擦除时间过长或其他原因引起的。擦除错误可能导致存储的数据无法完全擦除或部分损坏。
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现在各新兴存储器的发展各占区位，MRAM在嵌入式的应用站稳位置，210度静态存储器介绍，PCM和ReRAM则往SCM方向发展，ASML的SCM技术路标上的两个竞争者就是PCM和ReRAM，虽然现在ReRAM的实际容量还小。但是未来真正的决胜点，我认为是哪里一种新兴存储器能做到真正的3D制程，而不是cross-point，这样才有可能在价格上与3D NAND竞争。
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第2年
