闪速存储器(Flash ROM)是20世纪80年代中期出现的一种块擦写型存储器,是一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器,Flash ROM突破了传统的存储器体系,改善了存储器产品的特性。
Flash ROM中的内容不像RAM一样需要电源支持才能保存,但又像RAM一样可重写。在某种低电压下,Flash ROM的内部信息可读不可写,类似于ROM,而在较高的电压下,其内部信息可以更改和删除,又类似于RAM。
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EEPROM用电气方法将芯片中存储内容擦除,擦除速度较快,甚至在联机状态下也可以操作。相对来说,EPROM用紫外线擦除内容的操作就更复杂,速度也很慢。EEPROM既可使用字擦除方式又可使用块擦除方式,使用字擦除方式可擦除一个存储单元,使用块擦除方式可擦除数据块中所有存储单元。
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1.非易失性:EEPROM存储器在断电后仍能保持数据不丢失,210度随机存储器价格,适用于需要长期保存数据的场景。
2.可擦除性:EEPROM存储器可实现逐字节擦除,方便用户对数据进行修改。
3.可编程性:用户可根据需求对EEPROM存储器进行编程,150度随机存储器价格,实现数据的写入和读取。
4.高可靠性:EEPROM存储器具有较高的数据保持能力和耐久性,保证了数据的可靠性。
5.兼容性好:EEPROM存储器与标准微处理器接口兼容,易于集成到各种系统中。
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