LED的发光有源层??PN结是如何制成的?哪些是常用来制造LED的半导体材料?
LED的实质性结构是半导体PN结。PN结就是指在一单晶中,led外延片报价,具有相邻的P区和N区的结构,led外延片厂家,它通常在一种导电类型的晶体上以扩散、离子注入或生长的方法产生另一种导电类型的薄层来制得的。
常用来制造LED半导体材料主要有申化家、磷化家、家铝申、磷申化家、铟家氮、铟家铝磷等Ⅲ?Ⅴ族化合物半导体材料,其它还有Ⅳ族化合物半导体碳化硅,Ⅱ?Ⅵ族化合物硒化锌等。
1、什么是外延和外延片?
外延也称为外延生长,是制备高纯微电子复合材料的一工艺过程,就是在单晶(或化合物)衬底材料上淀积一层薄的单晶(或化合物)层。新淀积的这层称为外延层。淀积有外延层的衬底材料叫外延片。
2、哪些材料可以用作生长外延层的衬底材料,它们各自有哪些优缺点?
用得蕞广泛的衬底材料是申化家,可用于生长外延层GaAs、GaP、GaAlAs、InGaAlP,其优点是由于GaAs的晶格常数比较匹配可制成无位错单晶,加工方便,价格较便宜。缺点是它是一种吸光材料,对PN结发的光吸收比较多,影响发光效率。
磷化家可生长GaP:ZnO、GaP:N、GaAs、GaAlAs:N以及InGaAlP的顶层,其优点是它是透明材料,可制成透明衬底提高出光效率。
生长InGaN和InGaAlN的衬底主要有蓝宝石(Al2O3)、碳化硅和硅。蓝宝石衬底的优点是透明,有利于提高发光效率,led外延片多少钱,目前仍是InGaN外延生长的主要衬底。缺点是有较大的晶格失配;硬度高,造成加工成本高昂;热导率较低,不利于器件的热耗散,对制造功率led不利。碳化硅衬底有较小的晶格失配,硬度低,易于加工,淮南led外延片,导热率较高,利于制作功率器件。
LED芯片的分类有哪些呢?
TS芯片定义和特点
定义:transparent structure(透明衬底)芯片,该芯片属于HP的专i利产品。
特点:
(1)芯片工艺制作复杂,远高于AS LED。
(2)信赖性卓i越。
(3)透明的GaP衬底,不吸收光,亮度高。
(4)应用广泛。
AS芯片定义与特点
定义:Absorbable structure (吸收衬底)芯片;经过近四十年的发展努力,台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发、生产、销售处于成熟的阶段,各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平,差距不大。
大陆芯片制造业起步较晚,其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距,在这里我们所谈的AS芯片,特指UEC的AS芯片,eg:712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR等。
特点:
(1)四元芯片,采用MOVPE工艺制备,亮度相对于常规芯片要亮。
(2)信赖性优良。
(3)应用广泛。
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