随着技术的发展,“只读”这个“传统”的概念有时是可以被一些新特性的器件颠覆的。比如下面这两种类型的ROM就可以使用适当的方法进行擦除或改写:
EPROM:与一般的ROM不同在于,它可用特殊的装置擦除或重写其中的内容。
FLASH:闪速存储器,是完全非易失的,可以在线写入,并且可以按页连续字节写入,读出速度快。
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一种情况下,由于没有预留空间,200度动态存储器介绍,FLASH存储器在读写时交换块的损耗相当大,于是就会出现容量越来越小的情况。
对于第二种情况,厂商在设计时已经预留部分物理块,比如选择1024个物理块中的1000个作为数据存储使用,其余24个物理块(包括坏块)用作缓冲交换块部分。每次上电后,存储单元的逻辑地址和物理地址需要重新对照,交换块并不是固定的某一区块,因而每一个物理块进行读写操作的几率几乎相同,150度动态存储器价格,不会出现哪一个物理块过早被损坏的现象。对于预留缓冲空间的FLASH存储器来说,基本不会出现容量越来越小的情况。
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RAM 是随机存取存储器,它的特点是易挥发性,即掉电数据丢失。ROM 通常指固化存储器(一次写入,反复读取),它的特点与RAM 相反。ROM又分一次性固化、光擦除和电擦除重写三种类型。
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