晶振
振荡器也可以分为插件和贴片。插件可以按大小和脚位来分。例如所谓全尺寸的,直插晶振,又称长方形或者14pin,半尺寸的又称正方形或者8pin。不过要注意的是,仪器175度直插晶振参数,这里的14pin和8pin都是指振荡器内部IC的脚位数。振荡器本身是4pin。而从不同的应用层面来分,又可分为OSC(普通钟振)、TCXO(温补钟振)、VCXO(压控钟振)、OCXO(恒温钟振)等等。
晶振
负载电容的选择:晶体工作在基频时,石油150度直插晶振参数,其负载电容的标准值为20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶体经常工作在串联谐振,在使用负载电容的地方,其负载电容值应从下列标准值中选择:8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。
激励电平的影响:一般来讲,AT切晶体激励电平的增大,石油230度直插晶振参数,其频率变化是正的。激励电平过高会引起非线性效应,导致可能出现寄生振荡;严重热频漂;过应力频漂及电阻突变。当激励电平过低时则会造成起振阻力不易克服、工作不良及指标的不稳定。
滤波电路中的应用:应用于滤波电路中时,除通常的规定外,更应注意其等效电路元件的数值和误差以及寄生响应的位置和幅度,由于滤波晶体设计的特殊性,所以用户选购时应特别说明。
晶振
晶体电阻:对于同一频率,当工作在高次泛音振动时其电阻值将比工作在低次振动时大。
工作温度范围与温度频差:在提出温度频差时,应考虑设备工作引起的温升容限。当对温度频差要求很高,同时空间和功率都允许的情况下,应考虑恒温工作,恒温晶体振荡器就是为此而设计的。
负载电容与频率牵引:在许多应用中,都有用一负载电抗元件来牵引晶体频率的要求,这在锁相环回路及调频应用中非常必要,大多数情况下,这个负载电抗呈容性,当该电容值为CL时,则相对负载谐振频率偏移量为:DL=C1/[2(C0+CL)]。
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